Une nouvelle génération de puces mémoire à la fois ultra-rapides et hyper économes en énergie pour portables et appareils mobiles en vue. C'est ce qu'annonce Samsung Electronics avec "la première puce DRAM (mémoire dynamique à accès direct) DDR3. Ce nouveau circuit DRAM DDR3 de 512 Mbit, capable de traiter les données à la cadence de 1066 Mbit/s (l’équivalent de 8000 pages de journal par seconde), sera commercialisé au début de l’année 2006", note ainsi ITRmanager.com dans l'article "Samsung produit un prototype de mémoire DDR3 de nouvelle génération. Le prototype qui a été fabriqué fonctionne avec une alimentation de 1.5V, est gravé en 80 nm et fonctionne deux fois plus vite qu'avec la technologie DDR2 et quatre fois plus qu'avec le DDR.
